0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| অংশ সংখ্যা | TPH1110FNH,L1Q | উত্পাদক | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| বিবরণ | MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP | লিড ফ্রী স্থিতি / RoHS স্থিতি | লিড ফ্রি / RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
| পরিমান সরবরাহযোগ্য | 53358 pcs | তথ্য তালিকা | TPH1110FNH,L1Q.pdf |
| Vgs (ত) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 4V @ 300µA | Vgs (সর্বোচ্চ) | ±20V |
| প্রযুক্তি | MOSFET (Metal Oxide) | সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | 8-SOP Advance (5x5) |
| ক্রম | U-MOSVIII-H | আরডিএস অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিএসএস | 112 mOhm @ 5A, 10V |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | প্যাকেজিং | Cut Tape (CT) |
| প্যাকেজ / কেস | 8-PowerVDFN | অন্য নামগুলো | TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNHL1QCT |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 150°C (TJ) | মাউন্ট টাইপ | Surface Mount |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | 1 (Unlimited) | লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS অবস্থা | Lead free / RoHS Compliant |
| ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স (সিস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস | 1100pF @ 100V | গেট চার্জ (QG) (সর্বোচ্চ) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| FET প্রকার | N-Channel | FET বৈশিষ্ট্য | - |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (উপর Max Rds, উপর Min Rds) | 10V | উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 250V |
| বিস্তারিত বিবরণ | N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস | 10A (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | $ 35.00 থেকে প্রাথমিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
|---|---|---|
| ডিএইচএল | www.DHL.com | $ 35.00 থেকে প্রাথমিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| ইউ। পি। এস | www.UPS.com | $ 35.00 থেকে প্রাথমিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| টিঅ্যান্ডটি | www.TNT.com | $ 35.00 থেকে প্রাথমিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
